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タングステン遮蔽ブランケット

伝統(tǒng)的に、鉛は放射線遮蔽のための選択の製品となっている。 タングステン遮蔽ブランケットは、フィールドフィットをするための、5からの伝統(tǒng)的な鉛ブランケットの當(dāng)量によって提供されるよりも、10人·レムは/年に合計放射線の減衰を提供する能力を持っています。タングステン合金は、薄く、鉛よりも50％少ない重量を量るので、労働者は、原子力発電プラントで必要とされる物理的な活動を行っているとき、それはより寛容であってもよい。

同じ密度で、タングステンブランケットリード毛布より同様の厚さを有している。柔軟性の高い成形または任意の形狀に形成することができる。それは、多くの場合、競爭的に代替案をリードする価格。これは、エンジニアリングとロック可能なハイラッドアプリケーションなどの特殊なプロファイル、スラブとリボンを、製作します。

ここで、上述の方法は、接著層は、Ti/ TiN膜の積層膜であり、タングステン遮蔽ブランケットは接著層の上に形成されたときTiとのWF 6の直接反応を防止する効果がある。 TiとのWF 6の直接反応は體積膨張を示し、層の剝離の原因となる固體基板を形成する。

タングステン遮蔽ブランケットを形成するための接著層をスパッタ法で形成する場合、基板は、多くの場合、所有者またはフックを使用してマウント上に固定されている。これらのフックの下の部分に、殆ど膜は、スパッタリング法により、フックの下に形成されているため、層間絶縁層が露出しているSiO 2膜である。タングステン遮蔽ブランケットが露出したSiO 2上で成長すると、タングステン遮蔽ブランケットを容易に弱いため、接著防止粒子から剝離されるが生成される。

タングステンブランケットの説明

通常は、高融點金屬が用いられているある多層配線の配線層を接続するためのプラグ、タングステンなど。しかし、タングステン合金は、SiO 2の弱い接著力を有する。このように、SiO 2から形成された層間絶縁膜上にタングステンブランケットを形成するために、チタン膜の積層接著層が最初に形成された後、タングステンブランケットが形成されている。

タングステンブランケット堆積

タングステンブランケット堆積裝置は排気可能である內(nèi)部が反応器を含み、ガス入口は、反応器內(nèi)に反応ガスを?qū)毪工毪郡幛问侄韦取ⅴ蕙Ε螗趣稀⒈粍I理基板の被処理ガスの侵入を防止する侵入防止手段を取り付けるための手段、に配置された処理すべき被処理基板の表面の周縁部を覆い、被処理基板の直徑と、対象基板よりも大きな外周、及び他のガス入口よりも小さい內(nèi)徑を有するにガスを?qū)毪工毪郡幛问侄吻秩敕乐故侄韦菕Qわれるオブジェクト基板の周囲の空間。基板の周縁のSiO 2部にブランケットタングステンの成長が防止され、タングステンブランケットの剝離に起因するパーティクルの、したがって製造が防止される。

露出したSiO 2膜上にタングステンブランケットの成長を防止するために、基板の周りの露出したSiO 2膜は、SiO 2を露光したフィルムに到達(dá)する反応ガスを防止するためのリングで覆われている。
にSiH 4またはSiH.sub.2 Cl 2をガスがシリコンの薄膜をその上に形成するための基板の表面上に流した場合には、タングステンブランケットは、上記形成する従來の方法では、反応ガスの侵入を防止するためのリングで覆われている部分に供給されていない。このように、SiO 2からなる層は、基板の周縁部に露出している。
WF 6をガスの流れを提供することにより、WSi膜を形成する次の工程では、WF 6をはSiO 2膜は、基板の周縁部に露出している部分に浸透することができる。この場合、タングステンブランケットSiO 2膜上に直接成長し、粒子の産生をもたらす。

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